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整機結構
前端設備操作單元、前端EFEM單元及等離子處理單元，前端EFEM系統與等離子體處理單元分體式設計
等離子體源
射頻式電感耦合等離子體源或雙頻等離子體源
反應腔室
標準設計為雙反應腔室，可根據需求定制單反應腔室和多反應腔室結構
機械傳片
單臂或雙臂高精度機械手
Wafer升降
機械式Wafer pin升降結構，Wafer pin采用特定工藝處理
真空泵
干式真空泵，根據安裝位置及工藝不同，選擇100-600m3/h規格。如工藝需求，可增加分子泵。
工藝壓力控制
自動調壓蝶閥
真空檢測
管道真空計、反應腔室全量程真空計、工藝真空計
工藝氣體種類
標準配置Ar、N2、O2，可增加CF4及其他工藝氣體
氣體流量控制
質量流量控制器（MFC）
反應腔室溫度范圍
50 - 280℃
控制系統
基于工業電腦設計開發的人機交互系統，系統設計人性化、操作簡單
聯系人：李經理 電話：138 1739 9656 郵箱：13817399656 @163.com